[19p-PB1-1~37] 6.3 Oxide electronics

[19p-PB1-14] Electrical properties of M2-phase VO₂ thin film grown on ITO by ICP-assisted sputtering

〇Ryuta Tobe¹, Kunio Okimura¹, Md. Suruz Mian¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:VO2, Mott insulator, electrical properties

絶縁体金属相転移(IMT)を示す二酸化バナジウム(VO₂)は相転移が 温度だけでなく電圧印加によっても生じる点からスイッチング素子やニューロン素子としての応用が期待されている. VO₂の低温相の中でモット絶縁体であると考えられているM2相についてその転移特性や電気的特性を調査した.