[19p-PB1-1~37] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-PB1-14] ITO上にICP支援スパッタ成長したM2相VO₂薄膜の電気的特性

〇戸部 龍太¹、沖村 邦雄¹、ミヤ モハメッド　シュルズ¹ (1.東海大院工)

キーワード：VO2、モット絶縁体、電気的特性

絶縁体金属相転移(IMT)を示す二酸化バナジウム(VO₂)は相転移が 温度だけでなく電圧印加によっても生じる点からスイッチング素子やニューロン素子としての応用が期待されている. VO₂の低温相の中でモット絶縁体であると考えられているM2相についてその転移特性や電気的特性を調査した.