[19p-PB1-1~37] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-PB1-20] Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/NixSi/n-Si 構造の抵抗変化型不揮発性メモリ

〇仲山 広記¹、ジアンミイン チャイ¹、塚本 貴広²、雑賀 章浩³、加藤 格³、鮫島 俊之¹、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工、2.電気通信大、3.東京高専)

キーワード：抵抗変化メモリ

本研究ではCu とNi という異なる2種類の金属材料を使用したAu/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/NixSi/n-Si構造のメモリ素子において高いon/off電流比を取得し、CuOxの組成制御によってoff状態の電流値の制御に成功している。今回はNixSiの組成制御を行い、on状態の電流値を制御した抵抗変化型不揮発性メモリを新たに提案する。その基本的動作特性を示し、動作原理について考察する。