[19p-PB1-1~37] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-PB1-25] RFマグネトロンスパッタ法で作製したTi_0.9Fe_0.1O_2-δ薄膜の電子構造とI-V特性

〇(M1)石田 潤一郎¹、西岡 大貴¹、山田 庸公¹、湯川 龍²、堀場 弘司²、組頭 広志²、樋口 透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

キーワード：酸化物半導体

本研究ではRFマグネトロンスパッタ法により、クロスポイント構造を持つ結晶質・非結晶質(Amorphous)のTi0.9Fe0.1O2-δ薄膜を作製し、電子構造・電気特性を評価した。当日は、I-V特性に加え、脳型メモリー特性についても報告する。