[19p-PB1-1~37] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-PB1-30] NbOx膜における閾値スイッチングのI-V特性評価

〇(M2)中島 諒¹、東 篤志¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関西大学)

キーワード：ニオブ酸化物、金属絶縁体転移

金属絶縁体転移（IMT）による閾値スイッチングデバイスはクロスアレイ構造における漏洩電流の抑制や、自己発振器への応用が期待されている。一般的に二酸化バナジウム（VO₂）はIMT材料として幅広く研究されているが転移温度が低いことが問題となっている。そこで転移温度が高い二酸化ニオビウム（NbO₂）が注目されている。本研究では反応性スパッタによりニオブ酸化物を堆積し、上下電極を形成して電流電圧特性を評価する。