2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[19p-PB5-1~14] 13.9 化合物太陽電池

2018年9月19日(水) 16:00 〜 18:00 PB (白鳥ホール)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-1] 微粒子塗布法によるAg8SnS6光電極の作製と評価

〇(M1)LENGUYEN GIAPHUC1、田中 久仁彦1 (1.長岡技大)

キーワード:Ag8SnS6、微粒子塗布法、光電極

現在,光電極を作製するために様々な半導体光触媒が研究されている.しかし,その多くはバンドギャップが広いため可視光を有効に利用できない.そこで、可視光を有効利用できる約1.1-1.6 eV程度なバンドギャップを持つAg8SnS6が注目されている.これまでAg8SnS6の製作法としてスパッタ法,化学溶液堆積法が報告されている. しかし,スパッタ法は高コストであり、化学溶液堆積法は安価であるものの,現状では品質が悪い.本研究では, スパッタ法より安価にでき,化学溶液堆積法より高品質な薄膜を堆積できる微粒子塗布法により, Ag8SnS6薄膜を作製しその特性評価を行った.