[19p-PB6-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-PB6-1] 微傾斜GaAs(111)B基板上に作製したInGaAs量子細線列の光学異方性

〇川津 琢也¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：半導体、量子細線、光学異方性

微傾斜GaAs(111)B基板上に適切な条件でInGaAsを堆積すると、高さ約1 ～ 3 nm、周期約10 ～ 30 nmの規則的なスッテプ構造が形成される。そのようなステップ構造は、基板面内方向に周期的なポテンシャルを引き起こし、結合したInGaAs量子細線列を形成する。InGaAs量子細線列のバンド間遷移は、その形状を反映して、大きな光学異方性を示す。本研究では、実験と理論の２つの側面から、InGaAs量子細線列における光学異方性を調べ、その要因を検討した。