[19p-PB6-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-PB6-10] GaAs(110)最表面に置換したMn原子近傍の吸着Ga安定構造

〇後藤 拓巳¹、平山 基¹、釜野 勝¹ (1.阿南高専)

キーワード：半導体