[19p-PB6-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-PB6-5] 液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上InAs量子ドット形成におけるInAs下地層の効果

〇間野 高明¹、ハ ヌル¹、黒田 隆¹、大竹 晃浩¹、野田 武司¹、迫田 和彰¹ (1.物材機構)

キーワード：量子ドット、液滴エピタキシー、自己形成

液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上のInAs量子ドット形成の際の、InAs下地層挿入の効果に関する検討を行った。InAs下地層を挿入することにより、アニール時のInAs量子ドットからのInAsの拡散が抑制されることが分かった。