[19p-PB6-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-PB6-8] InAs/GaAs(001)系ミスフィット転位形成に関する理論的検討:表面再構成の影響

〇米本 和弘¹、秋山 亨¹、プラディプト アブドゥルムィッツ¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：量子ドット、ミスフィット転位、表面再構成