[19p-PB6-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-PB6-9] GaAs表面上のGa置換Mn原子対のスピン状態と電子状態

〇(B)岡本 昂也¹、平山 基¹ (1.阿南高専)

キーワード：半導体、表面

GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子対のスピン状態と電子状態を、スピン密度反関数理論に基づく第一原理擬ポテンシャル法により明らかにした。[110]原子列内での反強磁性結合が非常に不安定であり、長距離な強磁性結合が支配的であることがわかった。