[19p-PB7-1~7] 15.5 Group IV crystals and alloys

[19p-PB7-4] Formation of c-SiGe graded layer on c-Si substrate by thermal treatment (II)

〇(M2)NORRASHIDAH RASHID¹, Mohammad Faris Mohammad Fuad², Takara Hirose², Tetsuya Kaneko^1,2, Masao Isomura^1,2 (1.Tokai Univ., 2.Tokai Univ .)

Keywords:Graded layer, SiGe, Thermal treatment

本研究では、シリコン（Si）よりも長波長領域に光感度を持ち組成比により吸収波長を変えることができるシリコンゲルマニウム（SiGe）を積層型薄膜太陽電池のボトムセルとして、応用することを目的としている。しかし、Si基板上にSiGeを成長させると、SiGeとSiの格子定数が異なることから欠陥を生じる。そのため、SiとSiGeの格子定数を調整するバッファー層としてGeの熱拡散を用いたSiGe傾斜層の形成を検討している。前回の実験では、真空中の熱処理により熱拡散を行ったところ、酸化Geの昇華により、表面のGe濃度が少なくなることが分かった。そこで、本実験では、Geの昇華を妨げるために、アルゴン（Ar）ガス雰囲気における熱処理を検討した。