[19p-PB7-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19p-PB7-7] SiGe/Si(110)構造の表面形状形成過程に関する研究

〇(M1C)斎藤 慎吾¹、佐野 雄一¹、山田 崇峰¹、原 康祐¹、山中 淳二¹、有元 圭介¹、中川 清和¹ (1.山梨大学)

キーワード：結晶成長

電子デバイスの性能向上には移動度の向上が有効である。先行研究により「歪みSi/ SiGe/Si(110)」構造における(110)面歪みSi薄膜は高い正孔移動度が得られている。更に高い移動度を得るためには、表面の平坦性を向上させることが必要である。(110)面歪みSi薄膜状には、結晶内のマイクロ双晶に起因する凹凸の他、特徴的な表面モフォロジーが現れることが分かっているが、その形成メカニズムは明らかにされていない。良質な膜を形成するためには、SiGe層の結晶欠陥および表面モフォロジーの形成過程に関する知見が重要となる。そこで本実験では、Ge組成約12％の「SiGe/Si(110)」構造の試料の結晶成長の進行に伴う表面形状・緩和率の変化を調べる。