[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-12] α-Ir₂O₃/α-Ga₂O₃ヘテロpn接合のバンドアライメント評価

〇韓 欣一¹、竹本 柊¹、金子 健太郎¹、四戸 孝²、藤田 静雄¹ (1.京大院工、2.（株）FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム、p型酸化物半導体、バンドアライメント

近年、次世代パワーデバイス材料として酸化ガリウムが注目されている。酸化ガリウムはSBDでは良好な特性を示しているが、p型半導体の作製が可能となれば、JBS構造やMOSFETのp型ウェル層、PiNダイオード、IGBT等、より高性能なパワーデバイスの実現が見込まれる。本研究では、α-Ga₂O₃と良好なヘテロ接合を形成可能なp型半導体としてコランダム構造酸化イリジウム(α-Ir₂O₃)に注目し、そのバンドアライメント評価を行った。