[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-19] ゾル・ゲルディップ法によるNiO薄膜の作成

〇安田 隆¹、後藤 宗久¹、中込 真二¹ (1.石専大理工)

キーワード：NiO、ゾル・ゲル法、酸化物半導体

ゾル・ゲルディップ法を用いて，石英ガラスおよびサファイア(001)基板上に作成したNiO薄膜の結晶性をXRD回折により評価する。