[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-2] 塩化物系ガリウム稀薄水溶液によるα 型酸化ガリウム薄膜のミストCVD 成長

〇松本 一寿¹、中村 幸¹、田中 一郎¹、宇野 和行¹ (1.和大シス工)

キーワード：α型酸化ガリウム

ミストCVD法は、水溶液をドライミスト化して成長表面に原料供給する大気圧CVD 法であり、α-Ga₂O₃ を400℃前後の成長温度で薄膜成長することができる。今回我々は、金属Ga をHCl 溶液に溶かしたものをGa源として、0.4 mmol/L 程度まで稀薄化したGa 水溶液を用いることで、成長速度を0.56 nm/minにまで落とした形でのミストCVD 法によるα-Ga₂O₃ 薄膜の成長を行ったので報告する。