[19p-PB8-1~23] 21 Joint Session K (Poster)

[19p-PB8-2] Growth of α-Ga2O3 Thin films using chloride-based dilute gallium source solutions by mist chemical vapor deposition

〇Kazutoshi Matsumoto¹, Sachi Nakamura¹, Ichiro Tanaka¹, Kazuyuki Uno¹ (1.Wakayama Univ.)

Keywords:alpha-Ga2O3

ミストCVD法は、水溶液をドライミスト化して成長表面に原料供給する大気圧CVD 法であり、α-Ga₂O₃ を400℃前後の成長温度で薄膜成長することができる。今回我々は、金属Ga をHCl 溶液に溶かしたものをGa源として、0.4 mmol/L 程度まで稀薄化したGa 水溶液を用いることで、成長速度を0.56 nm/minにまで落とした形でのミストCVD 法によるα-Ga₂O₃ 薄膜の成長を行ったので報告する。