2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

2018年9月19日(水) 16:00 〜 18:00 PB (白鳥ホール)

16:00 〜 18:00

[19p-PB8-2] 塩化物系ガリウム稀薄水溶液によるα 型酸化ガリウム薄膜のミストCVD 成長

松本 一寿1、中村 幸1、田中 一郎1、宇野 和行1 (1.和大シス工)

キーワード:α型酸化ガリウム

ミストCVD法は、水溶液をドライミスト化して成長表面に原料供給する大気圧CVD 法であり、α-Ga2O3 を400℃前後の成長温度で薄膜成長することができる。今回我々は、金属Ga をHCl 溶液に溶かしたものをGa源として、0.4 mmol/L 程度まで稀薄化したGa 水溶液を用いることで、成長速度を0.56 nm/minにまで落とした形でのミストCVD 法によるα-Ga2O3 薄膜の成長を行ったので報告する。