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[19p-PB8-2] 塩化物系ガリウム稀薄水溶液によるα 型酸化ガリウム薄膜のミストCVD 成長
キーワード:α型酸化ガリウム
ミストCVD法は、水溶液をドライミスト化して成長表面に原料供給する大気圧CVD 法であり、α-Ga2O3 を400℃前後の成長温度で薄膜成長することができる。今回我々は、金属Ga をHCl 溶液に溶かしたものをGa源として、0.4 mmol/L 程度まで稀薄化したGa 水溶液を用いることで、成長速度を0.56 nm/minにまで落とした形でのミストCVD 法によるα-Ga2O3 薄膜の成長を行ったので報告する。