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[19p-PB8-4] pチャネルSnOx薄膜トランジスタに対するパッシベーション膜の効果
キーワード:酸化物半導体、酸化物薄膜トランジスタ
本研究ではSiO2パッシベーションを有するSnOxTFTを作製し,トランジスタ特性に対するパッシベーション膜の効果とアニール条件依存性を調べた.パッシベーションを行ったTFTはパッシベーションを行わなかったTFTと比較してオフ電流が減少しオン/オフ比が増加し,移動度も他のTFTより高い0.62 cm2 V-1 s-1が得られた.このように適度な大気中アニール後,パッシベーション膜および窒素中アニールが特性向上に有効であることが分かった.