[19p-PB8-1~23] 21 Joint Session K (Poster)

[19p-PB8-6] Characteristics of ZnO-SnO₂ thin film transistors on flexible substrates

〇Kazuo Satoh¹, Shuichi Murakami¹, Yusuke Kanaoka¹, Yoshiharu Yamada¹, Yoshiharu Kakehi¹, Yusuke Kondo¹, Yoshiaki Sakurai¹ (1.ORIST)

Keywords:TFT, oxide film, ZTO

環境に負荷をかけない元素で構成されたZnO-SnO₂（ZTO）は、低温で成膜しても比較的高いHall移動度を示す。また、結晶化温度が高いためアモルファスになりやすく、可視光領域で高い透過率を示す。これらのことから、透明アモルファス酸化物トランジスタのチャネル材料として注目されている。我々は、ZTOを用いて薄膜トランジスタ（TFT）をSiやガラス基板上に作製し、その特性の評価を行ってきた^1,2)。本発表では、バイオセンサー等への応用を目指し、フレキシブル基板上にZTOを用いたTFTを作製し、その特性を調べたので報告する。