2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

2018年9月19日(水) 16:00 〜 18:00 PB (白鳥ホール)

16:00 〜 18:00

[19p-PB8-6] フレキシブル基板上に作製したZnO-SnO2薄膜トランジスタの特性

佐藤 和郎1、村上 修一1、金岡 祐介1、山田 義春1、筧 芳治1、近藤 裕佑1、櫻井 芳昭1 (1.大阪産業技術研究所)

キーワード:TFT、酸化物薄膜、ZTO

環境に負荷をかけない元素で構成されたZnO-SnO2(ZTO)は、低温で成膜しても比較的高いHall移動度を示す。また、結晶化温度が高いためアモルファスになりやすく、可視光領域で高い透過率を示す。これらのことから、透明アモルファス酸化物トランジスタのチャネル材料として注目されている。我々は、ZTOを用いて薄膜トランジスタ(TFT)をSiやガラス基板上に作製し、その特性の評価を行ってきた1,2)。本発表では、バイオセンサー等への応用を目指し、フレキシブル基板上にZTOを用いたTFTを作製し、その特性を調べたので報告する。