[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-8] Zn添加ZnO系薄膜におけるキャリア密度と移動度の関係

〇山田 祐美加¹、杉浦 怜²、淺野 祐稀²、伴 勇翔²、舩木 修平³、山田 容士³ (1.島根大自然、2.島根大総理工、3.島根大理工)

キーワード：透明導電膜、酸化亜鉛、スパッタリング