[20a-131-1~11] 【CS.9】 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術, 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術, 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

[20a-131-5] 本研究ではスピントルク強磁性共鳴法を用いCuPt合金のスピントルク効率を評価した。用いられたSi substrate /CuPt(3.5-10nm)/Co(10nm)/AlO_x(2nm)系ではパーマロイを用いた場合に比べ大きなスピントルク効率が得られることを発見した。本発表では高いスピントルク効率の起源について論じる。

〇山田 駿介¹、好田 誠¹、Rajagopalan Ramaswamy²、軽部 修太朗¹、Hyunsoo Yang²、新田 淳作¹ (1.東北大工、2.シンガポール国立大)

キーワード：スピンホール効果、スピントロニクス

本研究ではスピントルク強磁性共鳴法を用いCuPt合金のスピントルク効率を評価した。用いられたSi substrate /CuPt(3.5-10nm)/Co(10nm)/AlO_x(2nm)系ではパーマロイを用いた場合に比べ大きなスピントルク効率が得られることを発見した。本発表では高いスピントルク効率の起源について論じる。