[20a-133-1~8] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

△ [20a-133-5] Effects of Cz-Si Crystal Growth Conditions on Oxygen Precipitation and Dislocation Formation through Annealing Process

〇(M2)Kousuke Kinoshita¹, Takuto Kojima¹, Kohei Onishi¹, Yoshio Ohshita², Atushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:silicon, solar cell, oxygen precipitate

単結晶Siは多結晶に比べてキャリア寿命が長いことなどから、次世代太陽電池への適用が期待されている。Cz法で育成したSi結晶は、製造時に酸素が混入し、熱プロセスにより酸素析出が進行し、変換効率低下の原因になる。そのため、太陽電池の性能向上には酸素析出挙動を理解し、制御することが重要である。本研究では、結晶成長条件の異なるウェーハを用意し、熱処理に伴う酸素析出および転位形成がキャリア寿命に与える影響を評価した。