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△ [20a-136-10] Wire on Well構造におけるキャリア移動度の測定と解析
キーワード:半導体、量子構造系太陽電池
従来のGeベース三接合型太陽電池のミドルセルのバンドギャップは1.40 eVであるが、最適なバンドギャップは1.20 eVであることが知られている。Geに格子整合しバンドギャップ1.20 eVを満たす材料に多重量子井戸を用いたものがあるが、量子閉じ込め効果によりキャリアの回収が難しい。本研究では、通常の多重量子井戸と波状多重量子井戸の移動度を測定し、どちらの方が太陽電池に応用する際に有利かを考えた。