[20a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-141-1] [講演奨励賞受賞記念講演] ゲート酸化膜厚および窒化処理がSiC MOS反転層移動度へ及ぼす影響

〇野口 宗隆¹、岩松 俊明¹、網代 啓之¹、渡邊 寛¹、喜多 浩之²、三浦 成久¹ (1.三菱電機、2.東大院工)

キーワード：SiC、反転層、移動度

近年、SiC MOS反転層における電子散乱機構を実験的に評価する手法が提案され、各散乱移動度の実験的評価が可能となった。本研究では先行研究の手法を用い、ゲート酸化膜厚および窒化処理がフォノン散乱移動度およびクーロン散乱移動度に及ぼす影響を検討した。その結果、フォノン散乱移動度は、窒化処理の影響を受けず、かつ熱酸化の初期段階で定まることが判明したので報告する。