2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2018年9月20日(木) 09:00 〜 12:30 141 (141+142)

朽木 克博(豊田中研)

10:15 〜 10:30

[20a-141-6] 高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価

伊藤 滉二1、小林 拓真1、堀田 昌宏1、須田 淳1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

キーワード:MOS