[20a-146-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-146-4] Relationship between alloy compositions and microstructures in thick epitaxial AlInN films grown on c-plane GaN

〇(M1)Mizuki Yamanaka¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹, Tetsuya Takeuchi² (1.Nagoya Inst., 2.Meijo Univ.)

Keywords:AlInN AlInN, InAlN InAlN

GaN 系可視光レーザの高効率化・高出力化に向けて、GaN、InGaN との大きな比屈折率差が見込めるAlInN 厚膜クラッド層の開発に取り組んでいる。これまでの研究成果として、c 面サファイア上GaN テンプレートにほぼ格子整合して形成した膜厚300nm のAlInN 膜において、RMS 表面粗さが約1.8nm という比較的良好な膜が得られたことを報告してきた。今回、我々は、表面形態や微細構造の制御因子についてより深い理解を得るため、混晶組成の異なるAlInN 膜を成長し、その格子歪みや、表面平坦性、膜の微細構造との関係を調べたので報告する。