[20a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-146-4] c 面GaN 上にエピタキシャル成長した厚膜AlInN 層における混晶組成と微細構造の関係

〇(M1)山中 瑞樹¹、三好 実人¹、江川 孝志¹、竹内 哲也² (1.名工大、2.名城大)

キーワード：AlInN AlInN、InAlN InAlN

GaN 系可視光レーザの高効率化・高出力化に向けて、GaN、InGaN との大きな比屈折率差が見込めるAlInN 厚膜クラッド層の開発に取り組んでいる。これまでの研究成果として、c 面サファイア上GaN テンプレートにほぼ格子整合して形成した膜厚300nm のAlInN 膜において、RMS 表面粗さが約1.8nm という比較的良好な膜が得られたことを報告してきた。今回、我々は、表面形態や微細構造の制御因子についてより深い理解を得るため、混晶組成の異なるAlInN 膜を成長し、その格子歪みや、表面平坦性、膜の微細構造との関係を調べたので報告する。