[20a-146-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-146-7] Strong surfactant effect of Eu on removal of giant macro-steps on vicinal GaN surfaces

〇Shuhei Ichikawa¹, Takaya Morikawa¹, Jun Tatebayashi¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, rare-earth, bunched step

我々はこれまでに、有機金属気相成長法(organometallic vapor phase epitaxy: OMVPE)により希土類元素のEuをGaN結晶中にin-situ添加し(GaN:Eu)、これを活性層とした赤色LEDを実現してきた。本研究では、微傾斜サファイア基板上のGaN結晶成長において、添加したEuがサーファクタントして働き、巨大なマクロステップを有さない、原子レベルで平坦な表面を実現できることを見出したので報告する。