[20a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-146-7] Euのサーファクタント効果による微傾斜GaN上マクロステップの平坦化

〇市川 修平¹、森川 隆哉¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、希土類元素、ステップバンチング

我々はこれまでに、有機金属気相成長法(organometallic vapor phase epitaxy: OMVPE)により希土類元素のEuをGaN結晶中にin-situ添加し(GaN:Eu)、これを活性層とした赤色LEDを実現してきた。本研究では、微傾斜サファイア基板上のGaN結晶成長において、添加したEuがサーファクタントして働き、巨大なマクロステップを有さない、原子レベルで平坦な表面を実現できることを見出したので報告する。