[20a-146-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-146-8] Threading-dislocation reduction in GaN films using GaN:Eu/GaN multi-layer structures

〇Shuhei Ichikawa¹, Wanxin Zhu¹, Takaya Morikawa¹, Jun Tatebayashi¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, rare-earth, MOVPE

我々はこれまでに、有機金属気相成長法(organometallic vapor phase epitaxy: OMVPE)により希土類元素のEuをGaN結晶中にin-situ添加し(GaN:Eu)、これを活性層とした赤色LEDを実現してきた。本研究ではEuのin-situ添加手法を利用して、GaN:Eu層とアンドープGaN層(ud-GaN)を交互に積層した構造を多層的に作製することで、GaN結晶中の貫通転位密度の低減に効果があることを見出したので報告する。