[20a-222-1~12] 6.3 Oxide electronics

△ [20a-222-1] Theoretical Study of Oxygen Vacancies in Crystal Grain in Polycrystalline HfO₂ Film

〇(M2)Sohta Hida^1,2,3, Takumi Morita¹, Takahiro Yamasaki³, Jun Nara³, Takahisa Ohno³, Kentaro Kinoshita¹ (1.Tokyo Univ. of Science, 2.Tottori Univ., 3.NIMS)

Keywords:ReRAM, HfO2, first principles calculation

HfO₂などの金属酸化物の電気的特性を解明することは抵抗変化メモリ(ReRAM)などの性能向上に必要不可欠である. 本研究では, HfO₂結晶粒中に酸素欠陥を導入し, 酸素欠陥の荷電状態を中性・二価と変えた第一原理計算及び第一原理分子動力学シミュレーションを行った. その結果, 中性は凝集, 二価は拡散するという金属酸化物中の酸素欠陥の凝集・拡散の様子を初めて理論的に観測した.