[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-222-1] 多結晶HfO₂薄膜における酸素欠陥の凝集・拡散に関する理論的検討

〇(M2)肥田 聡太^1,2,3、森田 巧¹、山崎 隆浩³、奈良 純³、大野 隆央³、木下 健太郎¹ (1.東京理科大、2.鳥取大工、3.物材機構)

キーワード：抵抗変化メモリ、HfO2、第一原理計算

HfO₂などの金属酸化物の電気的特性を解明することは抵抗変化メモリ(ReRAM)などの性能向上に必要不可欠である. 本研究では, HfO₂結晶粒中に酸素欠陥を導入し, 酸素欠陥の荷電状態を中性・二価と変えた第一原理計算及び第一原理分子動力学シミュレーションを行った. その結果, 中性は凝集, 二価は拡散するという金属酸化物中の酸素欠陥の凝集・拡散の様子を初めて理論的に観測した.