[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-222-10] SmNiO₃-FETにおけるチャネルサイズ縮小による抵抗変調の高効率化

〇川本 大喜¹、服部 梓^1,2、山本 真人¹、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.JST さきがけ)

キーワード：SmNiO3、不揮発性メモリ、電気二重層