[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-222-11] 水分を脱離させたAg/Ta₂O₅/Pt素子のスイッチング動作

〇(M2)棚橋 直哉¹、鶴岡 徹²、バロブ イリア³、長谷川 剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構、3.ユーリッヒ研究所)

キーワード：抵抗変化メモリ