[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-222-2] TaO_x界面層を用いたPt/Nb:SrTiO₃接合の伝導特性制御

〇蔦 佑輔¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 康夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：界面型ReRAM、ショットキー障壁、Nb:STO

Pt/Nb:SrTiO₃(001)接合を対象に、界面エンジニアリング手法による接合特性の制御を検証した。金属/酸化物間に極めて均一な構造を形成可能である界面層TaO_xの酸化度と膜厚によって伝導特性の制御を試み、その結果Pt/TaO_x/Nb:STO接合の伝導特性をオーミック接合からショットキー接合まで系統的に制御することが出来た。また同時にバリア高さの変調に起因する抵抗変化動作の制御も成功している。