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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年9月20日(木) 09:00 〜 12:15 222 (222)

齋藤真澄(東芝メモリ)、鶴岡徹(物材機構)

10:00 〜 10:15

△ [20a-222-5] Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt抵抗変化素子の直流および交流電気的特性の解析

〇(M1)宮谷俊輝¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、誘電緩和、ホッピング伝導