[20a-222-1~12] 6.3 Oxide electronics

△ [20a-222-6] Memory operation in Voltage-switching RAM using pulsed voltage input signals

〇(M1)Yuki Watanabe¹, Shigeru Kobayashi¹, Ryota Shimizu^1,2, Kazunori Nishio¹, Wei Liu³, Satoshi Watanabe³, Taro Hitosugi¹ (1.Tokyo Tech., 2.JST-PRESTO, 3.Univ. Tokyo)

Keywords:memory device, interface, Li-ion conductor

次世代メモリ研究が活発に行われる中、我々はLi/Li₃PO₄/Au構造をもつ電圧記録型メモリを報告した。先の講演会では、Auの代わりにNiを用いて多値化と低消費電力動作を実現した。しかし、理論計算ではスイッチングに要するLi移動量は原子層程度で十分とされ、消費電力の更なる低減が期待される。本研究では、従来の電圧掃引ではなくパルス信号によるスイッチングを試み、記録電圧のLi移動量依存性を検証した。