2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年9月20日(木) 09:00 〜 12:15 222 (222)

齋藤 真澄(東芝メモリ)、鶴岡 徹(物材機構)

10:15 〜 10:30

[20a-222-6] パルス電圧を用いた電圧記録型メモリにおけるメモリ動作

〇(M1)渡邊 佑紀1、小林 成1、清水 亮太1,2、西尾 和記1、リウ ウェイ3、渡邉 聡3、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東大工)

キーワード:メモリデバイス、界面、Liイオン伝導体

次世代メモリ研究が活発に行われる中、我々はLi/Li3PO4/Au構造をもつ電圧記録型メモリを報告した。先の講演会では、Auの代わりにNiを用いて多値化と低消費電力動作を実現した。しかし、理論計算ではスイッチングに要するLi移動量は原子層程度で十分とされ、消費電力の更なる低減が期待される。本研究では、従来の電圧掃引ではなくパルス信号によるスイッチングを試み、記録電圧のLi移動量依存性を検証した。