[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-222-7] Cu/MoO_x/Al₂O₃ CBRAMの微小領域におけるフィラメント形状観察

〇石川 竜介¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹、工藤 昌輝²、松村 晶² (1.北大院情報、2.九大超顕微セ)

キーワード：CBRAM、TEMその場観察、ReRAM

抵抗変化型メモリ (ReRAM) は次世代メモリとして実用化が期待されているが、高い信頼性を持つデバイス開発のためには詳細な動作機構や故障原因の解明が求められる。特にCuを用いたReRAM (CBRAM) においては導電性ナノフィラメント (CF) の形状や数が特性に影響を与えることが示唆されている。本研究ではMoO_x/Al₂O₃を例として、CFの成長、破断過程の形状を詳細に観察・解析した。