2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年9月20日(木) 09:00 〜 12:15 222 (222)

齋藤 真澄(東芝メモリ)、鶴岡 徹(物材機構)

11:15 〜 11:30

[20a-222-9] 化学状態の非破壊ナノイメージングを可能にする光電子顕微鏡開発

〇(M1)奥田 裕司1,2,3、川北 純平2,3、谷内 敏之2,3、島 久2,4、清水 敦史1,4、内藤 泰久2,4、秋永 広幸2,4、木下 健太郎1、辛 埴2,3 (1.東京理科大学、2.産総研・東大 OIL、3.東大物性研、4.産総研ナノエレ)

キーワード:光電子顕微鏡、メモリ、酸化タンタル

従来の光電子顕微鏡による化学状態観測は非破壊性と分解能がトレードオフの関係にあり、電極に埋もれたデバイス動作を敏感に観測するのは難しいとされていた。そこで、エネルギーの紫外連続波(CW)レーザー(4.66 eV)を用いることにより、観測するこれまでにない高分解能バルク敏感観測が実現された。本講演では、金属界面下のPEEM観測検出深さと空間分解能の関係について議論すると同時にデバイス評価有用性についても議論する。