2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[20a-224A-1~10] 3.7 レーザープロセシング

2018年9月20日(木) 09:00 〜 11:45 224A (224-1)

坂倉 政明(サウサンプトン大)、谷 峻太郎(東大)

10:00 〜 10:15

[20a-224A-5] レーザステルスダイシング加工によリ生じたSi結晶欠陥のSEM解析

河口 大祐1、岩田 博之2、〇坂 公恭2 (1.浜ホト、2.愛工大)

キーワード:レーザ照射、ボイド、ステルスイダシング

ステルスダイシングによりSi中に導入された欠陥はボイド,微小亀裂,グライドセット転位とこれらを縦に貫くチムニー状の組織からなっている.このうち,ボイドの多くはその周辺に結晶欠陥や歪をほとんど伴ってない.つまり,ボイドの内部に存在していたはずのSiは行方不明である.これらのSi原子の行方を探るため、Siウエハにレーザを照射し,レーザ入射面と出射面をSEMで観察した.これらの観察結果をもとに当日ボイド形成,亀裂発生の機構について報告する