The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

9 Applied Materials Science » 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[20a-231A-1~10] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

Thu. Sep 20, 2018 9:00 AM - 11:45 AM 231A (231-1)

Hajime Nagata(Tokyo Univ. of Sci.), Takaaki Morimoto(National Defence Academy)

10:30 AM - 10:45 AM

[20a-231A-6] Transient capacitance of a MIM capacitor with CeOxlayer

Kazuya Hisatsune1, Takuya Hoshii1, Iriya Muneta1, Hitoshi Wakabayashi1, Kazuo Tsutsui1, Kuniyuki Kakushima1 (1.Tokyo Tech)

Keywords:High dielectric material, MIM Capacitor

ICに大きな駆動電流が流れると電圧降下やノイズが発生する恐れがあるため,デカップリングキャパシタ(Decap)を取り付けて緩和をさせる必要がある .これまでHfO2を用いた高容量密度を有するDecapの報告があるが,更に高い誘電率材料を用いる必要がある.本研究では比誘電率28を有するCeOx膜を用いた金属/絶縁膜/金属(MIM)キャパシタの作製と評価を行ったところ,容量の過渡的な変化を確認したので報告する.