[20a-231A-1~10] 9.1 誘電材料・誘電体

[20a-231A-6] CeO_xを挿入したMIMキャパシタの静電容量の過渡応答特性

〇久恒 和也¹、星井 拓也¹、宗田 伊理也¹、若林 整¹、筒井 一生¹、角嶋 邦之¹ (1.東工大工)

キーワード：高誘電材料、MIMキャパシタ

ICに大きな駆動電流が流れると電圧降下やノイズが発生する恐れがあるため，デカップリングキャパシタ(Decap)を取り付けて緩和をさせる必要がある ．これまでHfO₂を用いた高容量密度を有するDecapの報告があるが，更に高い誘電率材料を用いる必要がある．本研究では比誘電率28を有するCeO_x膜を用いた金属/絶縁膜/金属(MIM)キャパシタの作製と評価を行ったところ，容量の過渡的な変化を確認したので報告する．