[20a-235-1~8] 13.8 光物性・発光デバイス

[20a-235-1] 励起子型量子アニーリング手法の開発と量子ドット発光解析への応用

袴田 紘斗¹、〇曽我部 東馬^1,2、山口 浩一^1,2 (1.電通大基盤理工学専攻、2.電気通信大学i-PERC)

キーワード：量子アニーリング、量子ドット、発光

従来の量子アニーリング法はイージングモデルに基づき量子スピンを利用することが一般的であるが[1]、本研究では我々は量子温度を導入し、温度変化によって生じる量子ドットの系における励起子間での量子相転移を利用した励起子型量子アニーリング手法の原理を説明する。また当手法をGaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドット層の発光特性の実験解析[2]に応用し、量子相転移が由来する量子ドットの発光強度スペクトルの特徴再現による検証結果を報告する。