[20a-235-1~8] 13.8 光物性・発光デバイス

[20a-235-2] InGaAs多重積層量子ドットにおけるキャリアの2段階励起過程

〇五島 敬史郎¹、犬飼 圭祐¹、津田 紀生¹、菅谷 武芳² (1.愛知工大、2.産総研)

キーワード：量子ドット、光物性

自己組織化InGaAs 量子ドットを用いたデバイス応用として、高効率太陽電池、高効率半導体レーザ、量子暗号通信等が考えられている。これらのデバイスを実現するためには、ドットを上下に重ねた構造を持つ積層化技術が重要である。ドットの結合状態やトンネル効果などの量子効果を強く引き出すためには中間層の薄膜化が重要である。我々は中間層の薄い多重積層において、2波長励起手法により中間層が薄いサンプルに形成されたサブバンドを経由したキャリアの2段階励起過程を調べたのでご報告する。