[20a-331-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [20a-331-10] Changes in Threshold Voltage and Gate Current of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Induced by Gamma-ray Irradiation

〇Koki Tsurimoto¹, Masahiro Horita², Jun Suda^1,3 (1.Nagoya Univ., 2.Kyoto Univ., 3.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:GaN, HEMT, gamma-ray

GaN HEMTは宇宙空間や原子炉、LHC内で用いることが可能な耐放射線デバイスとして期待されており、放射線照射時の素子の特性変化への理解は過酷な放射線環境下における機器の信頼性確保において特に重要となる。本研究では、ゲートにp-GaNを用いた市販のp-GaN/AlGaN/GaNノーマリオフHEMTに放射線の一種であるガンマ線を照射し、照射前後における静特性の変化を評価したので報告する。