[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-331-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧およびゲート電流の変化

〇釣本 浩貴¹、堀田 昌宏²、須田 淳^1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、ガンマ線

GaN HEMTは宇宙空間や原子炉、LHC内で用いることが可能な耐放射線デバイスとして期待されており、放射線照射時の素子の特性変化への理解は過酷な放射線環境下における機器の信頼性確保において特に重要となる。本研究では、ゲートにp-GaNを用いた市販のp-GaN/AlGaN/GaNノーマリオフHEMTに放射線の一種であるガンマ線を照射し、照射前後における静特性の変化を評価したので報告する。