[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-331-12] 界面顕微光応答法によるファセット成長n-GaNショットキー接触の2次元評価

前田 昌嵩¹、〇塩島 謙次¹、栗原 香² (1.福井大院工、2.三菱ケミカル)

キーワード：GaN、ファセット成長、界面顕微光応答法

ファセット成長したGaN基板を用いてファセット成長部及びC面成長部に形成したショットキー接触を界面顕微光応答法により2次元評価した。波長375nmではC面成長部側の光電流がファセット成長部側に比べ約15%低くなった。界面顕微光応答法により、ファセット成長部とC面成長部の特性の違いを光電流像として検出した。